內存條有什么類型
內存條有什么類型
我們平常所說的“內存”大都是指“內存條”。那么什么是“內存條”呢?常見的“內存條”又有哪些類型呢?下面是學習啦小編收集整理關于內存條類型的資料以供大家參考學習，希望大家喜歡。
1.內存條的誕生
當CPU在工作時，需要從硬盤等外部存儲器上讀取數(shù)據(jù)，但由于硬盤這個“倉庫”太大，加上離CPU也很“遠”，運輸“原料”數(shù)據(jù)的速度就比較慢，導致CPU的生產(chǎn)效率大打折扣!為了解決這個問題，人們便在CPU與外部存儲器之間，建了一個“小倉庫”—內存。
內存雖然容量不大，一般只有幾十MB到幾百MB，但中轉速度非?？?，如此一來，當CPU需要數(shù)據(jù)時，事先可以將部分數(shù)據(jù)存放在內存中，以解CPU的燃眉之急。由于內存只是一個“中轉倉庫”，因此它并不能用來長時間存儲數(shù)據(jù)。
2.常見的內存條
目前PC中所用的內存主要有SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM、DDR2等四種類型。
曾經(jīng)主流——SDRAM
SDRAM(Synchronous DRAM)即“同步動態(tài)隨機存儲器”。SDRAM內存條的兩面都有金手指，是直接插在內存條插槽中的，因此這種結構也叫“雙列直插式”，英文名叫“DIMM”。目前絕大部分內存條都采用這種“DIMM”結構。
隨著處理器前端總線的不斷提高，SDRAM已經(jīng)無法滿足新型處理器的需要了，早已退出了主流市場。
今日主流——DDR SDRAM
DDR SDRAM(簡稱DDR)是采用了DDR(Double Data Rate SDRAM，雙倍數(shù)據(jù)速度)技術的SDRAM，與普通SDRAM相比，在同一時鐘周期內，DDR SDRAM能傳輸兩次數(shù)據(jù)，而SDRAM只能傳輸一次數(shù)據(jù)。
從外形上看DDR內存條與SDRAM相比差別并不大，它們具有同樣的長度與同樣的引腳距離。只不過DDR內存條有184個引腳，金手指中也只有一個缺口，而SDRAM內存條是168個引腳，并且有兩個缺口。
根據(jù)DDR內存條的工作頻率，它又分為DDR200、DDR266、DDR333、DDR400等多種類型：與SDRAM一樣，DDR也是與系統(tǒng)總線頻率同步的，不過因為雙倍數(shù)據(jù)傳輸，因此工作在133MHz頻率下的DDR相當于266MHz的SDRAM，于是便用DDR266來表示。
小提示：工作頻率表示內存所能穩(wěn)定運行的最大頻率，例如PC133標準的SDRAM的工作頻率為133MHz，而DDR266 DDR的工作頻率為266MHz。對于內存而言，頻率越高，其帶寬越大。
除了用工作頻率來標示DDR內存條之外，有時也用帶寬值來標示，例如DDR 266的內存帶寬為2100MB/s，所以又用PC2100來標示它，于是DDR333就是PC2700，DDR400就是PC3200了。
小提示：內存帶寬也叫“數(shù)據(jù)傳輸率”，是指單位時間內通過內存的數(shù)據(jù)量，通常以GB/s表示。我們用一個簡短的公式來說明內存帶寬的計算方法：內存帶寬=工作頻率×位寬/8×n(時鐘脈沖上下沿傳輸系數(shù)，DDR的系數(shù)為2)。
由于DDR內存條價格低廉，性能出色，因此成為今日主流的內存產(chǎn)品。
過時的貴族——RDRAM
RDRAM(存儲器總線式動態(tài)隨機存儲器)是Rambus公司開發(fā)的一種新型DRAM。RDRAM雖然位寬比SDRAM及DDR的64bit窄，但其時鐘頻率要高得多。
從外觀上來看，RDRAM內存條與SDRAM、DDR SDRAM內存條有點相似。
從技術上來看，RDRAM是一種比較先進的內存，但由于價格高，在市場上普及不是很實際。如今的RDRAM已經(jīng)退出了普通臺式機市場。
最新的內存——DDR2
DDR2是英特爾極力推動的新一代內存，DDR2構建在DDR的基礎上，通過增加4位預取機制使得在核心頻率不變的條件下將數(shù)據(jù)帶寬提升4倍，為效能提升掃清了障礙。為提高兼容性，DDR2將終結器直接整合于內存顆粒中，這也有效降低了主板的制造成本。此外，DDR2在延遲方面的機制也有所改變，增加了AL附加延遲的概念，這不可避免導致DDR2延遲時間增加。
高頻率、高帶寬是DDR2最大的優(yōu)點，它將有DDR2-400、DDR2-533、DDR2-667和DDR2-800等規(guī)范，最高帶寬分別達到3.2GB/s、4.2GB/s、5.3GB/s和6.4GB/s，比目前的DDR內存有大幅度提升，但它們的核心頻率仍保持在很低的水平，使得產(chǎn)品可在更低的電壓下運作(DDR工作在2.5V下，DDR2僅需要1.8V工作電壓)、功耗也比DDR有了明顯的降低。不過，DDR2的延遲周期反而比DDR長，后者的CL延遲一般是2、2.5和3個周期，而DDR2一般為3、4和5個周期，再加上AL附加延遲(附加延遲為0～4個周期)，使得DDR2讀數(shù)據(jù)的延遲時間比DDR大幅增加——顯然，在帶寬相同的情況下，DDR2的實際性能反而不如DDR。
表：各個版本的DDR-DDR2效能對比
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